HVPE控制系统

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表,因其良好的物理性能与稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上纸杯GaN基器件是实现其高性能的根本途径。

项目描述:

北京大学东莞光电研究院搭建的一套GaN单晶衬底制备的HVPE外延设备,

需要的控制系统包括:1.压力控制系统;2.温度控制系统;3.监控报警系统;4.曲线采集/历史曲线分析;5. 数据导入/导出/存储。



逸维智能科技有限公司

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逸维产品包括半导体、汽车新能源、生物医药、环保与3C生产线控制系统。

 技术要求与难点

4温区独立控温

18路质量流量计控制

温度控制要求:升降温要稳定,在设定的时间内达到设定温度;温度波动需要<2度;恒温控制需要在<0.5度

压力控制要求:腔内压力控制精度要<1torr,需要带有自动保护功能。

流量计控制:具有实时数据巡检功能,流量计开启顺序可自定义设定功能。


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专项定制

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